ICP電感耦合等離子刻蝕機(jī)通過下電極射頻發(fā)生器和感應(yīng)耦合離子射頻發(fā)生器對(duì)真空腔體內(nèi)的工藝氣體進(jìn)行離化，從而產(chǎn)生高密度等離子體，以實(shí)現(xiàn)快速對(duì)各種介質(zhì)材料、金屬及化合物半導(dǎo)體等材料（例如氧化硅、氮化硅、金屬、三五族材料等）的刻蝕。
      本設(shè)備由預(yù)真空室和反應(yīng)真空室兩部分構(gòu)成，最大限度減少了材料與外界的接觸，同時(shí)保證了操作人員的安全操作環(huán)境。感應(yīng)耦合等離子刻蝕機(jī)（ICP）主要由以下幾部分組成：反應(yīng)腔室、預(yù)真空室的、晶片傳送裝置、上電極、下電極、射頻源、真空系統(tǒng)、反應(yīng)氣體控制系統(tǒng)、制冷系統(tǒng)、背氦控制系統(tǒng)、設(shè)備操作軟件、配套附件等。