ICP電感耦合等離子刻蝕機通過下電極射頻發生器和感應耦合離子射頻發生器對真空腔體內的工藝氣體進行離化，從而產生高密度等離子體，以實現快速對各種介質材料、金屬及化合物半導體等材料（例如氧化硅、氮化硅、金屬、三五族材料等）的刻蝕。本設備由預真空室和反應真空室兩部分構成，最大限度減少了材料與外界的接觸，同時保證了操作人員的安全操作環境。

感應耦合等離子刻蝕機（ICP）主要由以下幾部分組成：反應腔室、上電極、下電極、射頻源、真空系統、反應氣體控制系統、制冷系統、背氦控制系統、設備操作軟件、配套附件等。