技術參數 RIE反應離子刻蝕是一種干法刻蝕技術,其原理是在真空系統中利用分子氣體等離子來進行刻蝕。這一過程涉及在平板電極之間施加高頻電壓,產生離子層,樣品放置在其中,離子高速撞擊樣品完成化學反應刻蝕。RIE技術利用離子誘導化學反應實現各向異性刻蝕,即通過離子能量使被刻蝕層表面形成容易刻蝕的損傷層和促進化學反應,同時離子還可清除表面生成物以露出清潔的刻蝕表面。這種刻蝕技術具有高選擇性和高刻蝕速率,被廣泛應用于芯片制造等領域的精細加工過程中。